碳化硅是全球最先进的第三代半导体材料。和第一代的硅、第二代的砷化镓材料相比，它具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料。j9九游会联盟提供全套碳化硅基片研发的全套设备， 为新一代碳化硅基片的开发助力。



编 号

设备名称 &  P/N

照 片


用 途


1

100T压机

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将粉末预压成圆片以便均匀蒸发或融化

2


SiC 晶体生长



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TSSG                  Sublimation

真空感应加热晶体生长炉（ 2000 -2400oC）

· 顶部籽晶溶液生长

· 升华外延生长

3

高温退火炉

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1600 – 1800oC

+/- 0.1 C 精度

4

单晶定向

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晶体定向

5

SiC晶片切割


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金刚石线精确切片

6

SiC基片外延抛光

1-9.png          1-10.png

光洁度 《 10A

7

等离子& 臭氧清洗

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外延薄膜生长前去除表面污染

8

晶片包装盒

1-13.png            1-14.png

安全包装盒运输




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